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BSP88 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：Digi-Reel®

BSP88 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：带卷 (TR)

BSP88 L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：240V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：350mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 108µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.8nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：95pF @ 25V; 功率_最大：1.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA; 供应商设备封装：PG-SOT223-4; 包装：剪切带 (CT)

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CA06R22-2PYF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 3POS INLINE W/PINS
CA3100F32A10SBF80
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 54POS WALL MNT W/SKTS
BU4081BF-E2
逻辑 - 栅极和逆变器 Rohm Semiconductor 14-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC QUAD 2-INP AND GATE SOP14 TR
C200H-ATT53
配件 Omron Electronics Inc-IA Div I/O LOCK BRACKET:5-SLOT

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